BUK764R0-55B,118、FDB8445、HUF75345S3ST对比区别

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型号 BUK764R0-55B,118 FDB8445 HUF75345S3ST

描述 D2PAK N-CH 55V 193AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB8445  场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 0.0068Ω, 70A, TO-263AB-375A ， 55V ， 0.007 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - 40.0 V 55.0 V

额定电流 - 70.0 A 75.0 A

漏源极电阻 0.0034 Ω 6.8 mΩ 6.00 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 92 W 325 W

漏源极电压(Vds) 55 V 40 V 55 V

漏源击穿电压 - 40 V 55.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 70.0 A 75.0 A

上升时间 51 ns 19 ns 118 ns

输入电容(Ciss) 6776pF @25V(Vds) 3805pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 92 W 325 W

下降时间 41 ns 16 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 92W (Tc) 325W (Tc)

阈值电压 3 V 2.5 V -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

输入电容 - 3.80 nF -

栅电荷 - 62.0 nC -

长度 - 10.97 mm 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.5 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99