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BA4560、TL082IDRQ1、TL082CPT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BA4560 TL082IDRQ1 TL082CPT

描述 双高转换率运算放大器 Dual high slew rate operational amplifierJFET输入运算放大器 JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERJFET 运算放大器

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 TSSOP-8

电源电压(DC) 18.0V (max) - -

工作电压 36 V - -

供电电流 4 mA 1.4 mA 1.4 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 800 mW - 680 mW

共模抑制比 70 dB 75dB ~ 86dB 70 dB

带宽 2 MHz 3.00 MHz 4 MHz

转换速率 4.00 V/μs 13.0 V/μs 16.0 V/μs

增益频宽积 10 MHz 3 MHz 4 MHz

输入补偿电压 500 µV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 50 nA 30 pA 20 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ 0 ℃

增益带宽 10 MHz 3 MHz 4 MHz

耗散功率(Max) 800 mW - 680 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 75 dB 70 dB

电源电压 36 VDC - 6V ~ 36V

电源电压(Max) 30 V 36 V 36 V

电源电压(Min) 8 V 7 V 6 V

输出电流 - - 60 mA

针脚数 - - 8

输入补偿漂移 - 18.0 µV/K -

长度 9.3 mm 4.9 mm 3 mm

宽度 6.5 mm 3.91 mm 4.4 mm

高度 2.59 mm 1.58 mm 1 mm

封装 DIP-8 SOIC-8 TSSOP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99