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MRF317、SD1019、MRF316对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF317 SD1019 MRF316

描述 射频线NPN硅功率晶体管100W , 30-200MHz , 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V射频与微波晶体管108-152 MHz的应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 108-152 MHz APPLICATIONS射频线NPN硅射频功率晶体管 The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor

数据手册 ---

制造商 M/A-Com Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Chassis - Chassis

封装 316-01 - 316-01

引脚数 4 - -

增益 10 dB 4.5 dB 13 dB

耗散功率 270 W - -

击穿电压(集电极-发射极) 35 V 35 V -

最小电流放大倍数(hFE) 10 @5A, 5V 5 @500mA, 5V -

额定功率(Max) 100 W 117 W -

封装 316-01 - 316-01

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead free Lead Free

工作温度 - 200 ℃ -