击穿电压集电极-发射极 35 V
增益 4.5 dB
最小电流放大倍数hFE 5 @500mA, 5V
额定功率Max 117 W
工作温度 200 ℃
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准
含铅标准 Lead free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
SD1019 | Microsemi 美高森美 | 射频与微波晶体管108-152 MHz的应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 108-152 MHz APPLICATIONS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: SD1019 品牌: Microsemi 美高森美 封装: | 当前型号 | 射频与微波晶体管108-152 MHz的应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS 108-152 MHz APPLICATIONS | 当前型号 | |
型号: MRF314 品牌: M/A-Com 封装: 211-07 NPN 82W | 功能相似 | 射频线NPN硅功率晶体管30W , 30-200MHz , 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 30W, 30-200MHz, 28V | SD1019和MRF314的区别 | |
型号: MRF316 品牌: M/A-Com 封装: 316-01 | 功能相似 | 射频线NPN硅射频功率晶体管 The RF Line NPN Silicon RF Power Transistor | SD1019和MRF316的区别 | |
型号: MRF317 品牌: M/A-Com 封装: 4Case | 功能相似 | 射频线NPN硅功率晶体管100W , 30-200MHz , 28V The RF Line NPN Silicon Power Transistor 100W, 30-200MHz, 28V | SD1019和MRF317的区别 |