TLV2442AQDRQ1、TLV2442QDR、TLV2442AIPW对比区别
型号 TLV2442AQDRQ1 TLV2442QDR TLV2442AIPW
描述 高级LinCMOSâ ?? ¢轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS⢠RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨输出,宽输入电压运算放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8
输出电流 ≤50 mA - ≤50 mA
供电电流 750 µA 750 µA 750 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 725 mW - 0.525 W
共模抑制比 70 dB - 70 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K
带宽 1.75 MHz 1.75 MHz 1.75 MHz
转换速率 1.40 V/μs 1.40 V/μs 1.40 V/μs
增益频宽积 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz
输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA
工作温度(Max) 125 ℃ - 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃
增益带宽 1.81 MHz 1.81 MHz 1.81 MHz
耗散功率(Max) 725 mW - 525 mW
共模抑制比(Min) 70 dB - 70 dB
电源电压 2.7V ~ 10V - -
电源电压(Max) 10 V - -
电源电压(Min) 2.7 V - -
长度 4.9 mm - -
宽度 3.91 mm - -
高度 1.58 mm - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 TSSOP-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -