STB6N80K5、STP6N80K5、STI6N80K5对比区别

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型号 STB6N80K5 STP6N80K5 STI6N80K5

描述 N-Ch 800V 4.5A 1. 6mOhm SuperMESH5 Power Mosfet - D2PakN-沟道 800 V 4.5 A 1.6 Ohm MDmesh™ K5 功率 MosFet -TO-220-3N沟道 800V 4.5A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-262-3

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 1.6 Ω -

极性 - N-CH -

耗散功率 110 W 85 W 110 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

漏源击穿电压 - 800 V -

连续漏极电流(Ids) - 4.5A -

上升时间 7.5 ns 7.5 ns -

输入电容(Ciss) 255pF @100V(Vds) 255pF @100V(Vds) 255pF @100V(Vds)

下降时间 16 ns 16 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 85W (Tc) 85W (Tc) 85W (Tc)

输入电容 270 pF - -

额定功率(Max) 110 W - -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅