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STI6N80K5

N沟道 800V 4.5A

通孔 N 通道 4.5A(Tc) 85W(Tc) I2PAK(TO-262)


立创商城:
N沟道 800V 4.5A


得捷:
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK


艾睿:
This STI6N80K5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 110000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device is made with supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin I2PAK Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 4.5A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube


STI6N80K5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 800 V

输入电容Ciss 255pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 85W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

STI6N80K5引脚图与封装图
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STI6N80K5 ST Microelectronics 意法半导体 N沟道 800V 4.5A 搜索库存
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型号: STI6N80K5

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-262-3

当前型号

N沟道 800V 4.5A

当前型号

型号: STB6N80K5

品牌: 意法半导体

封装: TO-252-3

完全替代

N-Ch 800V 4.5A 1. 6mOhm SuperMESH5 Power Mosfet - D2Pak

STI6N80K5和STB6N80K5的区别

型号: STP6N80K5

品牌: 意法半导体

封装: TO-220-3 N-CH 800V 4.5A

功能相似

N-沟道 800 V 4.5 A 1.6 Ohm MDmesh™ K5 功率 MosFet -TO-220-3

STI6N80K5和STP6N80K5的区别