EMT1DXV6T1G、EMT1DXV6T5G、EMT1DXV6T1对比区别

高亮显示差异参数

型号 EMT1DXV6T1G EMT1DXV6T5G EMT1DXV6T1

描述 NPN 晶体管，最大 1A，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563

频率 140 MHz 140 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.5 W 0.5 W -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V 120 @1mA, 6V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 357 mW 500 mW -

增益频宽积 140 MHz - -

封装 SOT-563-6 SOT-563 SOT-563

长度 1.7 mm - -

宽度 1.3 mm - -

高度 0.6 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -