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LMC6061IM/NOPB、LMC6061IMX/NOPB、LPC661IM对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6061IM/NOPB LMC6061IMX/NOPB LPC661IM

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LMC6061IM/NOPB  运算放大器, 单路, 100 kHz, 1个放大器, 0.035 V/µs, 4.5V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚精密 CMOS 单路微功耗运算放大器 8-SOIC -40 to 85TEXAS INSTRUMENTS  LPC661IM  运算放大器, 单路, 350 kHz, 1个放大器, 0.11 V/µs, 4.75V 至 15.5V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - - 5.00 V

输出电流 21.0 mA 22mA @5V 22mA @5V

供电电流 24 µA 24 µA 58 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

带宽 100 kHz - 350 kHz

转换速率 35.0 mV/μs 35.0 mV/μs 110 mV/μs

增益频宽积 100 kHz 100 kHz 350 kHz

输入补偿电压 100 µV 100 µV 1 mV

输入偏置电流 0.01 pA 0.01 pA 0.002 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.1 MHz 0.1 MHz 0.35 MHz

共模抑制比(Min) - 66 dB 63 dB

电源电压 4.5V ~ 15.5V - 4.75V ~ 15.5V

共模抑制比 66 dB 66 dB -

输入补偿漂移 1.00 µV/K 1.00 µV/K -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 1.5 mm 1.5 mm -

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15