SPD04N50C3、SPD04N50C3ATMA1、SPD03N60C3ATMA1对比区别

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型号 SPD04N50C3 SPD04N50C3ATMA1 SPD03N60C3ATMA1

描述 INFINEON  SPD04N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 560 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。INFINEON  SPD03N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3-1

漏源极电阻 0.85 Ω 0.85 Ω 1.26 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 50 W 50 W 38 W

阈值电压 3 V 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 560 V 500 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 4.50 A 4.5A 3.2A

上升时间 5 ns 5 ns 3 ns

输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 470pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 50 W 50 W -

下降时间 10 ns 10 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 50W (Tc) 38W (Tc)

针脚数 3 - 3

额定电压(DC) 560 V - -

额定电流 4.50 A - -

额定功率 42 W - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.41 mm 2.41 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3-1

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -