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SPD03N60C3ATMA1

SPD03N60C3ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  SPD03N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

表面贴装型 N 通道 3.2A（Tc） 38W（Tc） PG-TO252-3-1


得捷:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3


立创商城:
N沟道 600V 3.2A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600MinV 3.2A 3-Pin TO-252 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 3.2A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 / N-Channel 600 V 3.2A Tc 38W Tc Surface Mount PG-TO252-3-1


SPD03N60C3ATMA1中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 38 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 3.2A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 400pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 38W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3-1

外形尺寸

封装 TO-252-3-1

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics, Power Management, Power Management, Industrial, Consumer Electronics, Communications & Networ

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

SPD03N60C3ATMA1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
SPD03N60C3ATMA1 Infineon 英飞凌 INFINEON  SPD03N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号SPD03N60C3ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： SPD03N60C3ATMA1

品牌： Infineon 英飞凌

封装： TO-252 N-Channel 600V 3.2A

当前型号

INFINEON  SPD03N60C3ATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： SPD03N60C3

品牌： 英飞凌

封装： TO252-3 N-Channel 600V 3.2A

功能相似

INFINEON  SPD03N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 650 V, 1.26 ohm, 10 V, 3 V

SPD03N60C3ATMA1和SPD03N60C3的区别

型号： SPD04N50C3

品牌： 英飞凌

封装： TO252-3 N-Channel 500V 4.5A

功能相似

INFINEON  SPD04N50C3  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 560 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V

SPD03N60C3ATMA1和SPD04N50C3的区别