FDP8870、IPP042N03LGXKSA1、PSMN4R3-30PL,127对比区别

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型号 FDP8870 IPP042N03LGXKSA1 PSMN4R3-30PL,127

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP8870.  场效应管, MOSFET, N沟道Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP042N03LGXKSA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装TO-220AB N-CH 30V 100A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 160 A - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0034 Ω 0.0035 Ω 0.0043 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 160 W 79 W 103 W

阈值电压 2.5 V 1 V 1.7 V

输入电容 5.20 nF - -

栅电荷 106 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 156 A 70A 100A

上升时间 105 ns 5.6 ns 58 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @15V(Vds) 3900pF @15V(Vds) 2400pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 160 W 79 W 103 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 160W (Tc) 79W (Tc) 103W (Tc)

下降时间 - 4.4 ns 21 ns

额定功率 - 79 W -

通道数 - 1 -

长度 10.67 mm 10 mm -

宽度 4.83 mm 4.4 mm -

高度 9.4 mm 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -