PSMN4R3-30PL,127
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN4R3-30PL,127中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0043 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 103 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 2400pF @12VVds
额定功率Max 103 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 103W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
PSMN4R3-30PL,127引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PSMN4R3-30PL,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN4R3-30PL,127 | NXP 恩智浦 | TO-220AB N-CH 30V 100A | 搜索库存 |
替代型号PSMN4R3-30PL,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN4R3-30PL,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220-3 N-Channel 30V 100A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 30V 100A | 当前型号 |
| 型号： STP40NF03L 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 30V 40A 18mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP40NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 22 mohm, 10 V, 1.7 V | PSMN4R3-30PL,127和STP40NF03L的区别 |
| 型号： STP80NF03L-04 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 30V 80A 4mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP80NF03L-04 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 V | PSMN4R3-30PL,127和STP80NF03L-04的区别 |
| 型号： FDP8870 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 30V 156A 4.1mohms 5.2nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP8870. 场效应管, MOSFET, N沟道 | PSMN4R3-30PL,127和FDP8870的区别 |