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REF5050AID、REF5050AIDR、REF5050IDRG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 REF5050AID REF5050AIDR REF5050IDRG4

描述 串联电压参考,固定,4V 至 10V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.1 % ±0.1 % ±0.05 %

输入电压(DC) 5.20V ~ 18.0V 5.20V ~ 18.0V -

输出电压 5 V 5 V -

输出电流 10 mA 10 mA 10 mA

供电电流 1.2 mA 1.2 mA 1.2 mA

通道数 1 1 -

针脚数 - 8 -

静态电流 800 µA 800 µA 800 µA

输入电压(Max) 18 V 18 V -

输出电压(Max) 5 V 5 V 5 V

输出电压(Min) 5 V 5 V 5 V

输出电流(Max) 10 mA 10 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

精度 0.05 % 0.05 % -

输入电压 5.2V ~ 18V 5.2V ~ 18V 5.2V ~ 18V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±8 ppm/℃ ±8 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -