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PBSS5160U、ZUMT718、PBSS5160U,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PBSS5160U ZUMT718 PBSS5160U,115

描述 PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsDIODES INC.  ZUMT718  单晶体管 双极, PNP, 20 V, 210 MHz, 385 mW, 1 A, 490 hFENexperia PBSS5160U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 3引脚 UMT封装

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世) Nexperia (安世)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323-3

针脚数 3 3 3

极性 PNP PNP -

耗散功率 250 mW 385 mW 250 mW

击穿电压(集电极-发射极) 60 V - 60 V

集电极最大允许电流 1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 100 - 150 @500mA, 5V

直流电流增益(hFE) 350 490 350

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 0.415 W - 415 mW

额定功率 - - 0.415 W

上升时间 - - 30 ns

额定功率(Max) - - 415 mW

下降时间 - - 55 ns

长度 2.2 mm - 2.2 mm

宽度 1.35 mm - 1.35 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

含铅标准 - - 无铅

工作温度 - - 150℃ (TJ)