PBSS5160U,115
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Nexperia
安世
分立器件
PBSS5160U,115中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.415 W
针脚数 3
耗散功率 250 mW
上升时间 30 ns
击穿电压集电极-发射极 60 V
最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V
额定功率Max 415 mW
直流电流增益hFE 350
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 415 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-323-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电机驱动与控制, 车用, 电源管理, 工业, 信号处理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
PBSS5160U,115引脚图与封装图
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在线购买PBSS5160U,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PBSS5160U,115 | Nexperia 安世 | Nexperia PBSS5160U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 3引脚 UMT封装 | 搜索库存 |
替代型号PBSS5160U,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PBSS5160U,115 品牌： Nexperia 安世 封装： SOT-323-3 | 当前型号 | Nexperia PBSS5160U,115 , PNP 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 185 MHz, 3引脚 UMT封装 | 当前型号 |
| 型号： PBSS5160U 品牌： 安世 封装： UMT | 功能相似 | 低饱和电压 PNP 晶体管，Nexperia一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管，Nexperia | PBSS5160U,115和PBSS5160U的区别 |