BD442G、BD442STU、BD442对比区别

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型号 BD442G BD442STU BD442

描述 塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP TransistorTrans GP BJT PNP 80V 4A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail塑料中功率硅PNP晶体管 Plastic Medium Power Silicon PNP Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 3 MHz 3 MHz -

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -

额定电流 -4.00 A -4.00 A -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 36 W 36 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 4A 4A 4A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V 40 @500mA, 1V

额定功率(Max) 36 W 36 W 36 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 36000 mW 36000 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - - 475

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

高度 - 11.2 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Bulk Rail Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 EAR99 EAR99 -