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LM5101BMA、LM5101CMA、LM5101AM/NOPB对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM5101BMA LM5101CMA LM5101AM/NOPB

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM5101BMA  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9V-14V电源, 2A输出, 22ns延迟, SOIC-83A , 2A和1A高电压高侧和低侧栅极驱动器 3A, 2A and 1A High Voltage High-Side and Low-Side Gate DriversTEXAS INSTRUMENTS  LM5101AM/NOPB  芯片, MOSFET栅极驱动器

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 9.00V (min) 9.00V (min) 14.0V (max)

上升/下降时间 570ns, 430ns 990ns, 715ns 430ns, 260ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 118 V 118 V -

输出电流 2.00 A 1 A -

静态电流 200 µA 200 µA 200 µA

上升时间 - 990 ns 430 ns

下降时间 - 715 ns 260 ns

下降时间(Max) 430 ns 715 ns 260 ns

上升时间(Max) 570 ns 990 ns 430 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 40 ℃ -40 ℃

电源电压 9V ~ 14V 9V ~ 14V 9V ~ 14V

电源电压(Max) 14 V 14 V 14 V

电源电压(Min) 9 V 9 V 9 V

通道数 - - 2

针脚数 8 - 8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.9 mm 3.9 mm

高度 - 1.45 mm 1.45 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99