FDS6930A、ZXMN3G32DN8TA、AO4842对比区别

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型号 FDS6930A ZXMN3G32DN8TA AO4842

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6930A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 VZXMN3G32 系列 30 V 0.028 Ohm 双 N 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8二极管与整流器

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - - 1.44 W

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-CH

耗散功率 2 W 2.1 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 5.50 A 7.10 A 7.7A

上升时间 8 ns 3.1 ns 2.7 ns

输入电容(Ciss) 460pF @15V(Vds) 472pF @15V(Vds) 448pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 1.25 W 2 W

下降时间 13 ns 9.7 ns 2.9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2100 mW 2000 mW

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 5.50 A - -

通道数 2 - -

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.032 Ω - -

阈值电压 1.5 V - -

输入电容 460 pF - -

栅电荷 5.00 nC - -

漏源击穿电压 30 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.75 mm 1.5 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -