FDS3672、IRF7495PBF、PSMN038-100K,518对比区别

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型号 FDS3672 IRF7495PBF PSMN038-100K,518

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3672  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRF7495PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 100 V, 22 mohm, 10 V, 4 VSO N-CH 100V 6.3A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 7.50 A - -

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 0.019 Ω 0.022 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W 2.5 W 3.5 W

阈值电压 4 V 4 V -

输入电容 2.01 nF - -

栅电荷 28.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 7.3A 6.3A

上升时间 20 ns 13 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 2015pF @25V(Vds) 1530pF @25V(Vds) 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 3.5 W

下降时间 27 ns 36 ns 25 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5 W 2.5W (Ta) 3.5W (Tc)

额定功率 - 2.5 W -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -