FDS3672
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS3672中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 7.50 A
针脚数 8
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.01 nF
栅电荷 28.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 2015pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS3672引脚图与封装图
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在线购买FDS3672
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS3672 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3672 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V | 搜索库存 |
替代型号FDS3672
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS3672 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 100V 7.5A 23mohms 2.01nF | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3672 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 100 V, 23 mohm, 10 V, 4 V | 当前型号 |
| 型号： IRF7495PBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 7.3A | 功能相似 | INFINEON IRF7495PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.3 A, 100 V, 22 mohm, 10 V, 4 V | FDS3672和IRF7495PBF的区别 |
| 型号： FDS3672_NL 品牌： 飞兆/仙童 封装： SOIC N-CH 100V 7.5A | 功能相似 | Discrete Commercial N-Channel UltraFET Trench MOSFET, 100V, 7.5A, 0.022Ω @ Vgs = 10V, SO-8 Package | FDS3672和FDS3672_NL的区别 |