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LMC6572BIM/NOPB、LMC6572BIMX/NOPB、TLV27L2IDR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMC6572BIM/NOPB LMC6572BIMX/NOPB TLV27L2IDR

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LMC6572BIM/NOPB  运算放大器, 双路, 220 kHz, 2个放大器, 0.09 V/µs, 2.7V 至 11V, SOIC, 8 引脚Dual Low Voltage (2.7V to 3V) Operational Amplifier 8-SOIC -40℃ to 85℃低电压 BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) - 12.0V (max) -

输出电流 ≤10 mA ≤10 mA 0.4mA @2.7V

供电电流 80 µA 80 µA 7 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 57 dB 60 dB 71 dB

输入补偿漂移 1.50 µV/K 1.50 µV/K 1.10 µV/K

转换速率 90.0 mV/μs 90.0 mV/μs 60.0 mV/μs

增益频宽积 220 kHz 220 kHz 160 kHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 .02 pA 0.02 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.22 MHz 220 kHz 0.16 MHz

共模抑制比(Min) 60 dB 60 dB 71 dB

电源电压(Max) 11 V 11 V 16 V

电源电压(Min) 2.7 V 2.7 V 2.7 V

耗散功率 - - 710 mW

带宽 220 kHz - 160 kHz

耗散功率(Max) - - 710 mW

针脚数 8 - -

电源电压 2.7V ~ 11V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.91 mm

高度 1.45 mm - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

REACH SVHC标准 No SVHC - -