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FDS8978、STS9D8NH3LL、STS8DNF3LL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDS8978 STS9D8NH3LL STS8DNF3LL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8978  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.5 V30V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFETSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

极性 Dual N-Channel N-CH N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1.6 W 2 W 2 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 8A/9A 8.00 A

输入电容(Ciss) 1270pF @15V(Vds) 857pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W 2 W 1.6 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1600 mW 2000 mW 2000 mW

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 8.00 A

漏源极电阻 0.014 Ω - 0.02 Ω

阈值电压 2.5 V - 1 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±16.0 V

上升时间 37 ns - 32 ns

下降时间 24 ns - 11 ns

针脚数 8 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - -

宽度 4 mm - -

高度 1.5 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -