FDS8978
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS8978中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.6 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.50 A
上升时间 37 ns
输入电容Ciss 1270pF @15VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 24 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1600 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS8978引脚图与封装图 
FDS8978引脚图
FDS8978封装焊盘图
在线购买FDS8978
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS8978 | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8978 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
替代型号FDS8978
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS8978 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SO Dual N-Channel 30V 7.5A 14mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8978 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 30 V, 0.014 ohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 |
| 型号： STS8DNF3LL 品牌： 意法半导体 封装： SOIC N-Channel 30V 8A 20mΩ | 功能相似 | STS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8 | FDS8978和STS8DNF3LL的区别 |
| 型号： STS9D8NH3LL 品牌： 意法半导体 封装： 8-SOIC N-CH 30V 8A 9A | 功能相似 | 30V,9A,0.012Ω,双N沟道功率MOSFET | FDS8978和STS9D8NH3LL的区别 |