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KSD471ACYTA、KSD471AYTA、KSD471ACYBU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSD471ACYTA KSD471AYTA KSD471ACYBU

描述 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor小信号 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

频率 130 MHz 130 MHz 130 MHz

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

额定电流 1.00 A 1.00 A -

极性 NPN NPN -

耗散功率 0.8 W 800 mW 0.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 1A 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 120 @100mA, 1V 120 @100mA, 1V 120 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) 400 400 -

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

增益频宽积 130 MHz - -

长度 5.2 mm 4.7 mm 5.2 mm

宽度 4.19 mm 3.93 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -