频率 130 MHz
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 800 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 120 @100mA, 1V
最大电流放大倍数hFE 400
额定功率Max 800 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 800 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 4.7 mm
宽度 3.93 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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KSD471AYTA | Fairchild 飞兆/仙童 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: KSD471AYTA 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 30V 1A 800mW | 当前型号 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Epitaxial Transistor | 当前型号 | |
型号: KSD471ACYTA 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-92 NPN 30V 1A 0.8W | 类似代替 | NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。 | KSD471AYTA和KSD471ACYTA的区别 |