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JANTX2N5672、JANTX2N6675、BD437TG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX2N5672 JANTX2N6675 BD437TG

描述 NPN大功率硅晶体管 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTORTrans GP BJT NPN 400V 15A 3Pin(2+Tab) TO-3塑料中功率型硅NPN晶体管 Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3 TO-3 TO-225-3

极性 NPN - NPN

耗散功率 6 W - 36 W

击穿电压(集电极-发射极) 120 V - 45 V

集电极最大允许电流 30A - 4A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @15A, 2V - 85 @500mA, 1V

额定功率(Max) 6 W - 36 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 6000 mW 6000 mW 36000 mW

频率 - - 3 MHz

额定电压(DC) - - 45.0 V

额定电流 - - 4.00 A

封装 TO-3 TO-3 TO-225-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99