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TL061CDT、TL061IDT、TL061CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TL061CDT TL061IDT TL061CD

描述 TL061 系列 36 V 1 MHz 低功耗 JFET 单通道 运算放大器 - SOIC-8TL061 系列 36 V 1 MHz 低功耗 JFET 单通道 运算放大器 - SOIC-8TL06x、TL07x、TL08x、JFET 输入、低输入偏置电流运算放大器TL06x、TL07x 和 TL08x 是具有高输入阻抗 JFET 输入阶段的运算放大器。 它们具有高转换速率、低输入偏置和偏置电流、低偏置电压温度系数。低功耗:200 μA(TL06x,每个放大器) 宽共模和差分电压范围 低噪声,通常为 15 nV/√Hz (TL07x) 低谐波失真:0.01% (TL07x) 输出短路保护 内部频率补偿 闩锁自由操作 高转换速率:16 V/μs(TL07x、TL08x),3.5 V/μs (TL06x) ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 200 µA 200 µA 200 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 8 -

耗散功率 680 mW 0.68 W 680 mW

共模抑制比 70 dB 80 dB 70 dB

带宽 1 MHz 1 MHz 1 MHz

转换速率 3.50 V/μs 3.50 V/μs 3.50 V/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 30 pA 30 pA 30 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 105 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz -

耗散功率(Max) 680 mW 680 mW 680 mW

共模抑制比(Min) 70 dB 80 dB 70 dB

电源电压 6V ~ 36V 6V ~ 36V 6V ~ 36V

电源电压(Max) 36 V - 36 V

电源电压(Min) 6 V - 6 V

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 4 mm - 3.9 mm

高度 1.65 mm - 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -