RGTV00TS65DGC11、RJP60D0DPE-00#J3对比区别

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型号 RGTV00TS65DGC11 RJP60D0DPE-00#J3

描述 单晶体管, IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 122000mW 3Pin(2+Tab) LDPAK(S)-1 T/R

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 4

封装 TO-247-3 SC-83

额定功率 276 W -

针脚数 3 -

耗散功率 276 W 122000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 650 V 600 V

反向恢复时间 102 ns -

额定功率(Max) 276 W 122 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 276000 mW 122000 mW

封装 TO-247-3 SC-83

工作温度 -40℃ ~ 175℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free