RGTV00TS65DGC11
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
额定功率 276 W
针脚数 3
耗散功率 276 W
击穿电压集电极-发射极 650 V
反向恢复时间 102 ns
额定功率Max 276 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 276000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -40℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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RGTV00TS65DGC11 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管, IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: RGTV00TS65DGC11 品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装: | 当前型号 | 单晶体管, IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚 | 当前型号 | |
型号: RJP60D0DPE-00#J3 品牌: 瑞萨电子 封装: SC-83 122000mW | 功能相似 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 122000mW 3Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R | RGTV00TS65DGC11和RJP60D0DPE-00#J3的区别 |