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RGTV00TS65DGC11

RGTV00TS65DGC11

ROHM Semiconductor 罗姆半导体 电子元器件分类

单晶体管, IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

New 650V IGBTs Deliver Class-Leading Efficiency with Soft Switching. Two new types of 650V IGBTs that combine class-leading low conduction loss with high-speed switching characteristics. This makes them ideal for power conversion in general-purpose inverters and converters for consumer appliances, such as ACs and IH Induction Heaters, as well as industrial equipment, including power conditioners, welding machines, and UPS Uninterrupted Power Supplies. The RGTV series features short circuit tolerance.

RGTV00TS65DGC11中文资料参数规格
技术参数

额定功率 276 W

针脚数 3

耗散功率 276 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 102 ns

额定功率Max 276 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 276000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

RGTV00TS65DGC11引脚图与封装图
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RGTV00TS65DGC11 ROHM Semiconductor 罗姆半导体 单晶体管, IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚 搜索库存
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型号: RGTV00TS65DGC11

品牌: ROHM Semiconductor 罗姆半导体

封装:

当前型号

单晶体管, IGBT, 95 A, 1.5 V, 276 W, 650 V, TO-247N, 3 引脚

当前型号

型号: RJP60D0DPE-00#J3

品牌: 瑞萨电子

封装: SC-83 122000mW

功能相似

Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 122000mW 3Pin2+Tab LDPAKS-1 T/R

RGTV00TS65DGC11和RJP60D0DPE-00#J3的区别