FDS6892A、IRF7313TRPBF、SI9926CDY-T1-GE3对比区别

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型号 FDS6892A IRF7313TRPBF SI9926CDY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6892A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 900 mVINFINEON  IRF7313TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 VVISHAY  SI9926CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 NSOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 7.50 A - -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 18 mΩ 0.023 Ω 0.015 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-CH N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 3.1 W

阈值电压 900 mV 1 V 1.5 V

输入电容 1.33 nF 650 pF -

栅电荷 12.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V 30 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 30 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 6.5A 8.00 A

上升时间 15 ns 8.9 ns -

输入电容(Ciss) 1333pF @10V(Vds) 650pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 900 mW 2 W -

下降时间 9 ns 17 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2 W -

额定功率 - 2 W -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 NSOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -