SH8M3TB1、SP8M3TB对比区别

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型号 SH8M3TB1 SP8M3TB

描述 MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8Pin SOP T/R

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8

通道数 2 -

漏源极电阻 58 mΩ -

耗散功率 2 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 30 V -

输入电容(Ciss) 230pF @10V(Vds) 230pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W -

额定电流 - 5.00 A

连续漏极电流(Ids) - 4.50 A

上升时间 - 25.0 ns

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free