SP8M3TB
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
SP8M3TB中文资料参数规格
技术参数
额定电流 5.00 A
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 25.0 ns
输入电容Ciss 230pF @10VVds
额定功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SP8M3TB引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SP8M3TB
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SP8M3TB | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8Pin SOP T/R | 搜索库存 |
替代型号SP8M3TB
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SP8M3TB 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： SOIC 30V 4.5A | 当前型号 | Trans MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8Pin SOP T/R | 当前型号 |
| 型号： SP8M3FU6TB 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N-Channel 30V 4.5A | 完全替代 | ROHM SP8M3FU6TB 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 30 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.5 V | SP8M3TB和SP8M3FU6TB的区别 |
| 型号： SH8M3TB1 品牌： 罗姆半导体 封装： 8-SOIC | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8 | SP8M3TB和SH8M3TB1的区别 |
| 型号： SP8M3 品牌： 罗姆半导体 封装： SOP N+P 30V 5A 4.5A | 功能相似 | 开关 Switching | SP8M3TB和SP8M3的区别 |