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BC640TA、BC640,116、2N930对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC640TA BC640,116 2N930

描述 ON Semiconductor BC640TA , PNP 晶体管, 1 A, Vce=100 V, HFE:25, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装SPT PNP 80V 1ANPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-206

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 45 V

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V 100 @10µA, 5V

额定功率(Max) 1 W 830 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1 W 830 mW 300 mW

耗散功率 1 W - 0.3 W

频率 100 MHz - -

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 25 - -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-206

长度 4.58 mm - -

宽度 3.86 mm - -

高度 4.58 mm - -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -