2N930

Microsemi(美高森美) 分立器件

NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 30mA 300mW Through Hole TO-18 TO-206AA

艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.03A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

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Trans GP BJT NPN 45V 0.03A 300mW 3-Pin TO-18 Bag

2N930中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 100 @10µA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-206

外形尺寸

封装 TO-206

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bag

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

2N930引脚图与封装图

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2N930	Microsemi 美高森美	NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR	搜索库存

替代型号2N930

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： 2N930 品牌： Microsemi 美高森美封装： TO-206AA 300mW	当前型号	NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR	当前型号
型号： JANTX2N930 品牌：美高森美封装： TO-18-3 NPN 300mW	完全替代	TO-18 NPN 45V 0.03A	2N930和JANTX2N930的区别
型号： JANTXV2N930 品牌：美高森美封装： TO-18 NPN 300mW	完全替代	TO-18 NPN 45V 0.03A	2N930和JANTXV2N930的区别
型号： BC640 品牌：安森美封装： TO-92 -80V -500mA	功能相似	高电流晶体管 High Current Transistors	2N930和BC640的区别