70T3519S166BFG、IDT70T651S10DR、70V7519S133BFI对比区别

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型号 70T3519S166BFG IDT70T651S10DR 70V7519S133BFI

描述 256K x 36 Sync, 3.3V/2.5V Dual-Port RAM, Interleaved I/O'sHIGH -SPEED 2.5V 256 / 128K ×36异步双口静态RAM为3.3V 0R 2.5V接口 HIGH-SPEED 2.5V 256/128K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACEHIGH -SPEED 3.3V 256K ×36同步BANK切换的双端口静态3.3V或2.5V接口RAM HIGH-SPEED 3.3V 256K x 36 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 CABGA-208 QFP-208 LFBGA-208

引脚数 208 - 208

封装 CABGA-208 QFP-208 LFBGA-208

长度 15 mm - 15.0 mm

宽度 15 mm - 15.0 mm

高度 1.4 mm - -

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tray Tray Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - 3A991 -

存取时间 3.6 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 2.4V ~ 2.6V - 3.15V ~ 3.45V

电源电压(Max) 2.6 V - -

电源电压(Min) 2.4 V - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)