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BFU725F/N1、BFU725F,115、BFU725F对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFU725F/N1 BFU725F,115 BFU725F

描述 NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors射频(RF)双极晶体管 RF NPN TransistorNPN宽带硅锗RF晶体管 NPN wideband silicon germanium RF transistor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-343 SOT-343 SO-4

极性 - NPN -

耗散功率 - 136 mW -

输入电容 - 0.342 pF -

击穿电压(集电极-发射极) - 2.8 V -

增益 - 10dB ~ 24dB -

最小电流放大倍数(hFE) 160 300 @10mA, 2V -

最大电流放大倍数(hFE) - 300 -

额定功率(Max) - 136 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) 136 mW 136 mW 136 mW

长度 2.2 mm 2.2 mm -

宽度 1.35 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 0.75 mm -

封装 SOT-343 SOT-343 SO-4

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -