BFU725F,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
分立器件
BFU725F,115中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 136 mW
输入电容 0.342 pF
击穿电压集电极-发射极 2.8 V
增益 10dB ~ 24dB
最小电流放大倍数hFE 300 @10mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 300
额定功率Max 136 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 136 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.75 mm
封装 SOT-343
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BFU725F,115引脚图与封装图
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在线购买BFU725F,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFU725F,115 | NXP 恩智浦 | 射频RF双极晶体管 RF NPN Transistor | 搜索库存 |
替代型号BFU725F,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BFU725F,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-343F NPN 136mW | 当前型号 | 射频RF双极晶体管 RF NPN Transistor | 当前型号 |
| 型号： BFU725F/N1 品牌： 恩智浦 封装： SOT-343 | 类似代替 | NPN 晶体管，NXP### 双极性晶体管，NXP Semiconductors | BFU725F,115和BFU725F/N1的区别 |