IPB160N04S3-H2、IPB160N04S3H2ATMA1、NP160N04TUJ-E1-AY对比区别

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型号 IPB160N04S3-H2 IPB160N04S3H2ATMA1 NP160N04TUJ-E1-AY

描述 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-TransistorN沟道 40V 160AMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

引脚数 - 7 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 214 W 214W (Tc) 1.8W (Ta), 250W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 160A 160A -

上升时间 16 ns 16 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 9600pF @25V(Vds) 9600pF @25V(Vds) 10350pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 214 W 214 W -

下降时间 17 ns 17 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 214W (Tc) 214W (Tc) 1.8W (Ta), 250W (Tc)

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263-7

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free