IPB160N04S3-H2
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IPB160N04S3-H2中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 214 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 160A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 9600pF @25VVds
额定功率Max 214 W
下降时间 17 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 214W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-7
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IPB160N04S3-H2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IPB160N04S3-H2 | Infineon 英飞凌 | 的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor | 搜索库存 |
替代型号IPB160N04S3-H2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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