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DS1245AB-70IND、DS1245AB-70IND+、DS1245Y-70IND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1245AB-70IND DS1245AB-70IND+ DS1245Y-70IND

描述 1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAMRAM,Maxim Integrated### SRAM(静态随机存取存储器)1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

针脚数 - 32 -

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns 70 ns 70.0 ns

内存容量 1000000 B 1000000 B 125000 B

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.25 V -

电源电压(Min) - 4.75 V -

负载电容 - - 5.00 pF

长度 - 44.2 mm -

宽度 - 18.8 mm -

高度 - 10.92 mm -

封装 DIP-32 DIP-32 DIP-32

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - 3A991.b.2.a