DS1245AB-70IND

Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM

NVSRAM Non-Volatile SRAM Memory IC 1Mb 128K x 8 Parallel 70ns 32-EDIP

得捷:
IC NVSRAM 1MBIT PARALLEL 32EDIP

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

罗切斯特:
NVRAM NVSRAM Parallel 1M-Bit 5V 32-Pin EDIP

DS1245AB-70IND中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 70.0 GHz

存取时间 70.0 ns

内存容量 1000000 B

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 32

封装 DIP-32

外形尺寸

封装 DIP-32

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube, Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1245AB-70IND引脚图与封装图

DS1245AB-70IND引脚图

DS1245AB-70IND封装图

DS1245AB-70IND封装焊盘图

在线购买DS1245AB-70IND

型号	制造商	描述	购买
DS1245AB-70IND	Maxim Integrated 美信	1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM	搜索库存

替代型号DS1245AB-70IND

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： DS1245AB-70IND 品牌： Maxim Integrated 美信封装： DIP 1000000B 5V 70ns 32Pin	当前型号	1024K非易失SRAM 1024k Nonvolatile SRAM	当前型号
型号： DS1245Y-70+ 品牌：美信封装： DIP 125000B 5V 70ns 32Pin	类似代替	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245Y-70+ 芯片, 存储器, NVSRAM, 1024KB, 128KX8, 32EDIP	DS1245AB-70IND和DS1245Y-70+的区别
型号： DS1245AB-70+ 品牌：美信封装： DIP 125000B 5V 70ns 32Pin	类似代替	MAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1245AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAM	DS1245AB-70IND和DS1245AB-70+的区别
型号： DS1245AB-70IND+ 品牌：美信封装： DIP 1000000B 5V 70ns 32Pin	类似代替	RAM，Maxim Integrated### SRAM（静态随机存取存储器）	DS1245AB-70IND和DS1245AB-70IND+的区别