FGL60N100BNTD、FGL60N100BNTDTU对比区别

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型号 FGL60N100BNTD FGL60N100BNTDTU

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGL60N100BNTD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引脚Vces=1000V，Ic=60A,Vce(sat)=2.5V 此款为新型号与FGL60N100BNTD无区别

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3

针脚数 3 -

耗散功率 180 W 180000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 1000 V 1000 V

反向恢复时间 1.2 µs 1.2 µs

额定功率(Max) 180 W 180 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 180000 mW 180000 mW

额定电压(DC) 1.00 kV -

额定电流 60.0 A -

额定功率 180 W -

极性 N-Channel -

上升时间 320 ns -

封装 TO-264-3 TO-264-3

长度 20 mm -

宽度 5 mm -

高度 26 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not For New Designs

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99