FGL60N100BNTD

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGL60N100BNTD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.9 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 引脚

分离式 IGBT、1000V 及以上， Semiconductor

### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor

绝缘栅级双极性或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

欧时:
### IGBT 分立，Fairchild Semiconductor### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

TME:
Transistor: IGBT; 1kV; 60A; 180W; TO264

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 60A 3-Pin3+Tab TO-264 Rail

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FGL60N100BNTD  IGBT Single Transistor, 60 A, 2.5 V, 180 W, 1 kV, TO-264, 3 Pins

Win Source:
IGBT 1000V 60A 180W TO264

DeviceMart:
IGBT N-CH 1000V 60A TO-264