IPI65R190C6、IPI65R190C6XKSA1、SPI20N65C3HKSA1对比区别

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型号 IPI65R190C6 IPI65R190C6XKSA1 SPI20N65C3HKSA1

描述 Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R190C6XKSA1, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装TO-262 N-CH 650V 20.7A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 700 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 20.2A 20.2A 20.7A

上升时间 12 ns 12 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 1620pF @100V(Vds) 1620pF @100V(Vds) 2400pF @25V(Vds)

下降时间 10 ns 10 ns 4.5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 151 W 151W (Tc) 208000 mW

通道数 1 - -

漏源极电阻 190 mΩ - -

耗散功率 151 W 151W (Tc) -

漏源击穿电压 700 V - -

额定功率 - 151 W -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262

长度 10.2 mm 10.36 mm -

宽度 4.5 mm 4.57 mm -

高度 9.45 mm 9.45 mm -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -