IPS1011SPBF、VNB35N07TR-E、VNB20N07-E对比区别

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型号 IPS1011SPBF VNB35N07TR-E VNB20N07-E

描述 Power Switch Lo Side 85A 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeSTMICROELECTRONICS  VNB35N07TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 VOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器MOS管FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作电压 36.0V (max) - -

额定功率 3.1 W - 83 W

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 5.50 V - -

输出电流 6.5 A 35 A 28 A

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 125 W 83 W

产品系列 IPS1011S - -

连续漏极电流(Ids) 6.50 A 18.0 A 20.0 A

输出电流(Max) 6.5 A 25 A 14 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V 18 V

供电电流 - 0.25 mA 0.25 mA

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.028 Ω 50 mΩ

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) - 80 V -

输入电压(Max) - 18 V 18 V

输出电流(Min) - 25 A 14 A

输入数 - 1 1

耗散功率(Max) - 125000 mW 83000 mW

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 70 V

上升时间 - - 240 ns

下降时间 - - 150 ns

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.2 mm 10.28 mm

宽度 - 9.15 mm 9.35 mm

高度 - - 4.6 mm

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99