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BC850B、BC850C、BC850CLT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC850B BC850C BC850CLT1G

描述 Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23Transistor: NPN; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23ON SEMICONDUCTOR  BC850CLT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 800 hFE

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

频率 300 MHz 300 MHz 100 MHz

耗散功率 0.25 W 0.25 W 225 mW

增益频宽积 100 MHz 100 MHz -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW 300 mW

额定电压(DC) - - 45.0 V

额定电流 - - 100 mA

针脚数 - - 3

极性 - - NPN

击穿电压(集电极-发射极) - - 45 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) - - 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 420

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99