IPP60R520C6XKSA1、IPP60R520CP、IPP60R520C6对比区别

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型号 IPP60R520C6XKSA1 IPP60R520CP IPP60R520C6

描述 TO-220 N-CH 600V 8.1A的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power Transistor金属氧化物半导体场效应晶体管 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

通道数 - - 1

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 66 W 66 W 66W (Tc)

阈值电压 - 3 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 8.1A 6.80 A 8.1A

上升时间 10 ns 12 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 512pF @100V(Vds) 630pF @100V(Vds) 512pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 66 W 66 W

下降时间 14 ns 16 ns 14 ns

耗散功率(Max) 66000 mW - 66W (Tc)

漏源极电阻 - 0.52 Ω -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

额定功率 66 W - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

长度 - 10 mm 10 mm

宽度 - 4.4 mm 4.4 mm

高度 - 15.65 mm 15.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -