FQP9N25C、STP60NF06、FQP8N80C对比区别
型号 FQP9N25C STP60NF06 FQP8N80C
描述 250V N沟道MOSFET 250V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 250 V 60.0 V -
额定电流 8.80 A 60.0 A -
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 430 mΩ 0.016 Ω 1.29 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 74 W 110 W 178 W
阈值电压 - 2 V 5 V
漏源极电压(Vds) 250 V 60 V 800 V
漏源击穿电压 250 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 8.80 A 60.0 A -
上升时间 85 ns 108 ns 110 ns
输入电容(Ciss) 710pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 1580pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 74 W 110 W 178 W
下降时间 65 ns 20 ns 70 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 74W (Tc) 110W (Tc) 178000 mW
输入电容 - - 1580 pF
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.1 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 16.3 mm 9.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -