TLV2252QDG4、TLV2252QDREP、TLV2252QD对比区别

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型号 TLV2252QDG4 TLV2252QDREP TLV2252QD

描述 高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS中晚期原发性肝癌LinCMOSâ ?? ¢ RAIL- TO -RAIL极低功耗OPERATIOPNAL放大器 Advanved LinCMOS™ RAIL-TO-RAIL VERY-LOW-POWER OPERATIOPNAL AMPLIFIERS高级LinCMOS轨到轨极低功耗POERATIONAL放大器 Advanced LinCMOS RAIL-TO-RAIL VERY LOW-POWER POERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 70 µA 70 µA 70 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 500 nV/K 500 nV/K 500 nV/K

带宽 187 kHz 187 kHz 187 kHz

转换速率 100 mV/μs 100 mV/μs 120 mV/μs

增益频宽积 200 kHz 200 kHz 200 kHz

输入补偿电压 200 µV 200 µV 200 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

增益带宽 - 0.2 MHz 200 kHz

输出电流 - ≤50 mA -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 725 mW -

共模抑制比(Min) - 70 dB -

耗散功率 725 mW - -

共模抑制比 65 dB - -

电源电压(Max) 8 V - -

电源电压(Min) 2.7 V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free